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Infineon Technologies BSZ900N15NS3 G
| Artikelnummer: | BSZ900N15NS3 G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 5000+ | $0.4191 |
| 10000+ | $0.4033 |
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-
Infineon Technologies BSZ900N15NS3 G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ900N15NS3 G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 38W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 75V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) BSZ900N15NS3 G Einzelheiten PDF [English] BSZ900N15NS3 G PDF - EN.pdf -
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